SI7884BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7884BDP-T1-GE3
Альтернативная модель:
SIR470DP-T1-GE3  ,  5013311007  ,  LTC3780EG#TRPBF  ,  LTC3611EWP#PBF  ,  TLV9152IDDFR  ,  SI7884BDP-T1-E3  ,  SIR4602LDP-T1-RE3  ,  FMMT493TA  ,  SIR873DP-T1-GE3  ,  INA186A2IDDFR  ,  SMDJ40CA  ,  FMMT723TA  ,  MBR0530T1G  ,  SI7852DP-T1-E3  ,  NCP45520IMNTWG-H
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7884BDP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
40 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
77 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
58A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
7.5mOhm @ 16A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
3540 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
4.6W (Ta), 46W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:5544
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.96
2880
6000
0.91
5460
9000
0.89
8010
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.