SIA432DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Номер компонента:
SIA432DJ-T1-GE3
Альтернативная модель:
EPCQ16ASI8N  ,  SN65LVDS3487D  ,  SML-020MLTT86  ,  SI7818DN-T1-GE3  ,  SIA462DJ-T1-GE3  ,  MPM3805GQB-Z  ,  1N4148WT-7  ,  DAC8411IDCKT  ,  MMZ1608S800ATA00  ,  FDM3622  ,  AD602ARZ  ,  SIA400EDJ-T1-GE3  ,  SIA468DJ-T1-GE3  ,  IS181GB  ,  ADG1401BRMZ
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
РОХС:
YES
SIA432DJ-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
12A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
20 nC @ 10 V
Пакет/кейс:
PowerPAK® SC-70-6
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
20mOhm @ 6A, 10V
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SC-70-6
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
800 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:4810
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.48
1440
6000
0.46
2760
9000
0.44
3960
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.