FDMS6681Z
MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
Номер компонента:
FDMS6681Z
Альтернативная модель:
BSC030P03NS3GAUMA1  ,  SQJ912BEP-T1_GE3  ,  NTS4001NT1G  ,  NTMFS005P03P8ZT1G  ,  RS1E220ATTB1  ,  SI7465DP-T1-GE3  ,  SRV05-4.TCT  ,  PJQ5427_R2_00001  ,  BSS138  ,  NX3020NAKS  ,  115  ,  DMT6004LPS-13  ,  NX3008NBK  ,  215  ,  2N7002  ,  TLP183(TPL  ,  E  ,  1731070089
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 30V 21.1A/49A 8PQFN
РОХС:
YES
FDMS6681Z Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Пакет/кейс:
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
ВГС (Макс):
±25V
Пакет устройств поставщика:
8-PQFN (5x6)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
241 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta), 73W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
21.1A (Ta), 49A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
10380 pF @ 15 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.