MWI50-12T7T
IGBT MODULE 1200V 80A 270W E2
Номер компонента:
MWI50-12T7T
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Modules >
Описание:
IGBT MODULE 1200V 80A 270W E2
РОХС:
YES
MWI50-12T7T Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Тип БТИЗ:
Trench
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Вход:
Standard
НТЦ-термистор:
Yes
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
80 A
Конфигурация:
Three Phase Inverter
Мощность - Макс.:
270 W
Пакет/кейс:
E2
Пакет устройств поставщика:
E2
Ток-отсечка коллектора (макс.):
4 mA
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.15V @ 15V, 50A
Входная емкость (Cies) при Vce:
3.5 nF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
6
129.8
778.8
12
120.15
1441.8
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.