SI4630DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
Номер компонента:
SI4630DY-T1-GE3
Альтернативная модель:
MP2615CGQ-P  ,  AP1509-50SG-13  ,  BQ29209TDRBTQ1  ,  BMP390  ,  ICM-20948  ,  24LC32AT-I/OT  ,  TPD4S012DRYR  ,  TPS2105MDBVREP  ,  TXS0108ERGYR  ,  10118192-0001LF  ,  NSC5136A-32K768  ,  24AA32AFT-I/OT  ,  0528850374  ,  MTFC32GAZAQHD-WT  ,  5040501291
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO
РОХС:
YES
SI4630DY-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет устройств поставщика:
8-SOIC
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
40A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.2V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
25 V
ВГС (Макс):
±16V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
161 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
2.7mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
6670 pF @ 15 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:4056
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.96
2400
5000
0.91
4550
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.