IPB80N06S207ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Номер компонента:
IPB80N06S207ATMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
РОХС:
YES
IPB80N06S207ATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
55 V
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
110 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
80A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 180µA
Рассеиваемая мощность (макс.):
250W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PG-TO263-3-2
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
3400 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
6.3mOhm @ 68A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.