IPP12CN10LGXKSA1
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
Номер компонента:
IPP12CN10LGXKSA1
Альтернативная модель:
FA-T220-25E  ,  MCU30P06Y-TP  ,  IRFB4410ZPBF  ,  CSD19533KCS  ,  SUP50020EL-GE3  ,  ANT11SF1CQE  ,  TLE8366EVXUMA1  ,  STP40NF10L  ,  50M030050N012  ,  PSMN013-100PS  ,  127  ,  IPD122N10N3GATMA1  ,  EG1271A  ,  1EDN7512BXTSA1  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS2011STRPBF  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  2ED2110S06MXUMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3
РОХС:
YES
IPP12CN10LGXKSA1 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Пакет/кейс:
TO-220-3
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (макс.):
125W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
58 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TO220-3
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
69A (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.4V @ 83µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5600 pF @ 50 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
12mOhm @ 69A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2486
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
2.11
2.11
50
1.71
85.5
100
1.4
140
500
1.19
595
1000
1
1000
2000
0.96
1920
5000
0.91
4550
10000
0.89
8900
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.