IXTA1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Номер компонента:
IXTA1R6N100D2
Альтернативная модель:
IXTA1R6N100D2-TRL  ,  IXTA1R6N100D2-TRL  ,  IXTA1R6N100D2HV  ,  IXTY1R6N100D2  ,  IXTA3N100D2  ,  IXTA08N100D2  ,  IXTA1N170DHV
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
РОХС:
YES
IXTA1R6N100D2 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
1000 V
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рассеиваемая мощность (макс.):
100W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
TO-263AA
Особенность полевого транзистора:
Depletion Mode
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
27 nC @ 5 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1.6A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
645 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
10Ohm @ 800mA, 0V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1721
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
4.1
4.1
50
3.26
163
100
2.78
278
500
2.48
1240
1000
2.12
2120
2000
2
4000
5000
1.91
9550
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.