IXTP6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Номер компонента:
IXTP6N100D2
Альтернативная модель:
IXTP08N100D2  ,  STP8NK100Z  ,  IXTH6N100D2  ,  IXTP6N50D2  ,  IXTH6N50D2  ,  IXTH16N50D2  ,  IXTP3N50D2  ,  IXTP3N100D2
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
РОХС:
YES
IXTP6N100D2 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-220-3
Напряжение стока к источнику (Vdss):
1000 V
Пакет устройств поставщика:
TO-220-3
Рассеиваемая мощность (макс.):
300W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
6A (Tc)
Особенность полевого транзистора:
Depletion Mode
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
95 nC @ 5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2650 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
2.2Ohm @ 3A, 0V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
10.11
10.11
50
8.07
403.5
100
7.22
722
500
6.37
3185
1000
5.73
5730
2000
5.37
10740
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.