IPB90N06S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
Номер компонента:
IPB90N06S4L04ATMA1
Альтернативная модель:
IPB90N06S4L04ATMA2
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3
РОХС:
YES
IPB90N06S4L04ATMA1 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Рассеиваемая мощность (макс.):
150W (Tc)
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ВГС (Макс):
±16V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
90A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
170 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.2V @ 90µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
13000 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.4mOhm @ 90A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.