IPI60R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
Номер компонента:
IPI60R380C6XKSA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262-3
РОХС:
YES
IPI60R380C6XKSA1 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Пакет/кейс:
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Рассеиваемая мощность (макс.):
83W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
32 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TO262-3
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
700 pF @ 100 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
10.6A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
380mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3.5V @ 320µA
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.