IPP60R125C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
Номер компонента:
IPP60R125C6XKSA1
Альтернативная модель:
SIHG100N60E-GE3  ,  IPP60R040C7XKSA1  ,  2EDN7524FXTMA1  ,  2EDN7523FXTMA1
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
РОХС:
YES
IPP60R125C6XKSA1 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
TO-220-3
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Пакет устройств поставщика:
PG-TO220-3
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
30A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
125mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3.5V @ 960µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
96 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2127 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
219W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2071
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
6.09
6.09
50
4.83
241.5
100
4.14
414
500
3.69
1845
1000
3.16
3160
2000
2.97
5940
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.