IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
Номер компонента:
IRFH5010TRPBF
Альтернативная модель:
IRFH5010TR2PBF  ,  1EDN7512BXTSA1  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS2011STRPBF  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  IRLH5030TRPBF  ,  SP4065-08ATG  ,  TLV6703QDSERQ1  ,  IPD220N06L3GATMA1  ,  TDA08H0SB1  ,  ATL431LIAQDQNR  ,  IRLML9301TRPBF  ,  SQ1464EEH-T1_GE3  ,  ZXMP6A17E6QTA  ,  FDMS86150  ,  IRFH5015TRPBF  ,  NSR20F30NXT5G  ,  IRLML0060TRPBF  ,  LT4356HDE-1#PBF  ,  STL100N10F7
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
РОХС:
YES
IRFH5010TRPBF Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
100 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет/кейс:
8-PowerVDFN
Пакет устройств поставщика:
8-PQFN (5x6)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
98 nC @ 10 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 150µA
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
4340 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
9mOhm @ 50A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
13A (Ta), 100A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.6W (Ta), 250W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.