SI4166DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
Номер компонента:
SI4166DY-T1-GE3
Альтернативная модель:
ISL21090BFB825Z-TK  ,  0428150114  ,  01020071Z
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
РОХС:
YES
SI4166DY-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет устройств поставщика:
8-SOIC
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
65 nC @ 10 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
30.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.9mOhm @ 15A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2730 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
3W (Ta), 6.5W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:9380
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.64
1600
5000
0.61
3050
12500
0.58
7250
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.