SI4925BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Номер компонента:
SI4925BDY-T1-GE3
Альтернативная модель:
SI4925BDY-T1-E3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
РОХС:
YES
SI4925BDY-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет устройств поставщика:
8-SOIC
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Конфигурация:
2 P-Channel (Dual)
Мощность - Макс.:
1.1W
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
5.3A
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
50nC @ 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
25mOhm @ 7.1A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:4100
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.81
2025
5000
0.78
3900
12500
0.76
9500
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.