SIR168DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Номер компонента:
SIR168DP-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SIR168DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
40A (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
75 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
5W (Ta), 34.7W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
4.4mOhm @ 15A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2040 pF @ 15 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.