NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
Номер компонента:
NVTFS5116PLTWG
Альтернативная модель:
NVTFS5116PLTAG  ,  DMP6023LFGQ-7  ,  NVTFS5116PLWFTWG  ,  SI2300DS-T1-GE3  ,  SQJB02ELP-T1_GE3  ,  SI7489DP-T1-GE3  ,  NCV890104MWR2G  ,  NTTFS5116PLTWG  ,  NCV47711PDAJR2G  ,  NCV7520MWTXG  ,  MAX6861UK225+T  ,  AON7296  ,  NVTFS5116PLWFTAG  ,  FDMC86139P  ,  INA132UA/2K5  ,  ADXL345BCCZ
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
РОХС:
YES
NVTFS5116PLTWG Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Оценка:
Automotive
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Квалификация:
AEC-Q101
Пакет устройств поставщика:
8-WDFN (3.3x3.3)
Пакет/кейс:
8-PowerWDFN
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
6A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
25 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.2W (Ta), 21W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1258 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
52mOhm @ 7A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:5756
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
5000
0.48
2400
10000
0.45
4500
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.