NP36P04SDG-E1-AY
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Номер компонента:
NP36P04SDG-E1-AY
Альтернативная модель:
STD36P4LLF6  ,  MB85RC64APNF-G-JNERE1  ,  AOD4185  ,  MP26123DR-LF-Z  ,  SK220A  ,  TPS54332DDAR  ,  SIR696DP-T1-GE3  ,  690367290676  ,  1SMB5928B-13  ,  IPP147N12N3GXKSA1  ,  691311500002  ,  HSMS-C190  ,  RD3G03BATTL1
Производитель:
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 40V 36A TO252
РОХС:
YES
NP36P04SDG-E1-AY Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
40 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 250µA
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Пакет/кейс:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Рабочая Температура:
175°C (TJ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
36A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
55 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
TO-252 (MP-3ZK)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2800 pF @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.2W (Ta), 56W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 18A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:12433
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
2500
0.85
2125
5000
0.81
4050
12500
0.79
9875
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.