NP50P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
Номер компонента:
NP50P06KDG-E1-AY
Альтернативная модель:
IRF4905STRLPBF  ,  PTVS3V3S1UTR  ,  115  ,  IPB110P06LMATMA1  ,  MCB110P06Y-TP  ,  SBH21-NBPN-D07-ST-BK  ,  NP36P04KDG-E1-AY  ,  FSM2JSMAATR  ,  SPB80P06PGATMA1  ,  NP50P04KDG-E1-AY  ,  2311775-1  ,  MCU50P06Y-TP  ,  VXO78015-1000  ,  NP50P06SDG-E1-AY  ,  8W-20.000MBE-T  ,  SQD50P08-25L_GE3
Производитель:
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
РОХС:
YES
NP50P06KDG-E1-AY Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура:
175°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 1mA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
50A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5000 pF @ 10 V
Пакет устройств поставщика:
TO-263
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
95 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
17mOhm @ 25A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.8W (Ta), 90W (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:6495
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
800
1.73
1384
1600
1.46
2336
2400
1.39
3336
5600
1.34
7504
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.