NP83P06PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 83A TO263
Номер компонента:
NP83P06PDG-E1-AY
Альтернативная модель:
GSFT06130  ,  ATP304-TL-H  ,  RD3L07BATTL1  ,  TJ60S06M3L  ,  LXHQ  ,  SUM110P06-07L-E3  ,  NP100P06PDG-E1-AY  ,  IPB110P06LMATMA1  ,  NP50P06KDG-E1-AY  ,  TJ60S06M3L(T6L1  ,  NQ  ,  NP100P06PLG-E1-AY  ,  RS1L151ATTB1  ,  MCAC80P06Y-TP  ,  G080P06M  ,  SQD50P06-15L_GE3  ,  LTM8051IY
Производитель:
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 60V 83A TO263
РОХС:
YES
NP83P06PDG-E1-AY Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Пакет/кейс:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Рабочая Температура:
175°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.5V @ 1mA
Пакет устройств поставщика:
TO-263
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
83A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
190 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.8W (Ta), 150W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
10100 pF @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
8.8mOhm @ 41.5A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:2775
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
800
2.39
1912
1600
2.04
3264
2400
1.93
4632
5600
1.85
10360
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.