SIHG22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Номер компонента:
SIHG22N60E-E3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
РОХС:
YES
SIHG22N60E-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс):
±30V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Пакет/кейс:
TO-247-3
Пакет устройств поставщика:
TO-247AC
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
21A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
86 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
227W (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
180mOhm @ 11A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1920 pF @ 100 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1627
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
4.71
4.71
25
3.73
93.25
100
3.2
320
500
2.85
1425
1000
2.43
2430
2000
2.29
4580
5000
2.2
11000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.