TK12A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Номер компонента:
TK12A60D(STA4,Q,M)
Производитель:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
РОХС:
YES
TK12A60D(STA4,Q,M) Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
ВГС (Макс):
±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
550mOhm @ 6A, 10V
Пакет/кейс:
TO-220-3 Full Pack
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 1mA
Пакет устройств поставщика:
TO-220SIS
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
38 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
45W (Tc)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
12A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1800 pF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1654
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
1
3.2
3.2
50
2.57
128.5
100
2.11
211
500
1.79
895
1000
1.52
1520
2000
1.44
2880
5000
1.39
6950
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.