IXFB82N60P
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
部件编号:
IXFB82N60P
替代型号:
IXFB82N60Q3
制造商:
Littelfuse / IXYS RF
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
RoHS:
YES
IXFB82N60P 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(最大):
±30V
功耗(最大):
1250W (Tc)
供应商设备包:
PLUS264™
包装/箱:
TO-264-3, TO-264AA
漏源电压 (Vdss):
600 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
240 nC @ 10 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
5V @ 8mA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
82A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
23000 pF @ 25 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
75mOhm @ 41A, 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:1820
数量
单价
国际价格
1
33.33
33.33
25
27.63
690.75
100
25.91
2591
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码