IXFN82N60P
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
部件编号：
IXFN82N60P
替代型号：
10M04SAE144I7G , IXFN110N60P3 , SCM1242MF , FDB2572 , IXDD630YI , IXGN320N60A3 , LF5A , CP2102N-A02-GQFN28 , DR331-513BE , DRV10983PWPR , BCW71 , ASEMB-24.000MHZ-LC-T , ADM3053BRWZ
制造商：
Wickmann / Littelfuse
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B
RoHS：
YES
IXFN82N60P 规格
安装类型：
Chassis Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
包装/箱：
SOT-227-4, miniBLOC
供应商设备包：
SOT-227B
漏源电压 (Vdss)：
600 V
功耗（最大）：
1040W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
240 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
72A (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 8mA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
23000 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
75mOhm @ 41A, 10V
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