SI7106DN-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
部件编号：
SI7106DN-T1-E3
替代型号：
SI7106DN-T1-GE3 , AP9101CAK6-BVTRG1 , LTC4365ITS8#TRMPBF , SN74LVC1G125DCK3 , LSHM-150-04.0-L-DV-A-S-K-TR , LT3009EDC#TRMPBF , 4-1734742-0 , SN74LVC1G08IDCKRQ1 , ECS-2520MVLC-240-BP-TR , LSHM-130-04.0-L-DV-A-S-K-TR , SN74LVC1G06DCKT , SI7232DN-T1-GE3 , CM1231-02SO , SI7108DN-T1-E3 , SSM6K514NU , LF
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7106DN-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
功耗（最大）：
1.5W (Ta)
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.5V, 4.5V
漏源电压 (Vdss)：
20 V
Vgs（最大）：
±12V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
27 nC @ 4.5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
12.5A (Ta)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
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