SI7112DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
部件编号：
SI7112DN-T1-E3
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7112DN-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
功耗（最大）：
1.5W (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
工作温度：
-50°C ~ 150°C (TJ)
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
Vgs（最大）：
±12V
Vgs(th)（最大值）@Id：
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
27 nC @ 4.5 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
11.3A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
7.5mOhm @ 17.8A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2610 pF @ 15 V
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