SI7309DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
部件编号：
SI7309DN-T1-E3
替代型号：
SI7309DN-T1-GE3 , SQS460EN-T1_BE3 , DMP6110SVT-7 , SI7415DN-T1-GE3 , 61400416021 , MMBT2222ALP4-7B , IXDI604SIA , SIS407DN-T1-GE3 , SI4401BDY-T1-E3 , SKY16603-632LF , CSD18537NQ5A , MAAL-010570-TR3000 , PAT1220-C-10DB-T5 , SISA88DN-T1-GE3 , MUSBR-M5C1-M0
制造商：
Vishay / Siliconix
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7309DN-T1-E3 规格
安装类型：
Surface Mount
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
Vgs(th)（最大值）@Id：
3V @ 250µA
供应商设备包：
PowerPAK® 1212-8
包装/箱：
PowerPAK® 1212-8
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
22 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
8A (Tc)
功耗（最大）：
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
115mOhm @ 3.9A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
600 pF @ 30 V
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