FDP2614
MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
部件编号：
FDP2614
替代型号：
FDP52N20 , IPP110N20N3GXKSA1 , IPP320N20N3GXKSA1
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3
RoHS：
YES
FDP2614 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
99 nC @ 10 V
包装/箱：
TO-220-3
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 250µA
供应商设备包：
TO-220-3
漏源电压 (Vdss)：
200 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
62A (Tc)
功耗（最大）：
260W (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
27mOhm @ 31A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
7230 pF @ 25 V
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