STB42N65M5
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
部件编号：
STB42N65M5
替代型号：
STB45N65M5 , IPB60R099CPATMA1 , STB43N65M5 , IPB65R065C7ATMA2 , STB13NM60N , STB42N60M2-EP , SIHB33N60E-GE3 , IPB60R055CFD7ATMA1 , FCB070N65S3 , MJD200G , FODM121C , NX7002AK , 215 , TK065U65Z , RQ , MMBT3906-7-F , MMBT3904-7-F
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
RoHS：
YES
STB42N65M5 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 250µA
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商设备包：
D2PAK
漏源电压 (Vdss)：
650 V
Vgs（最大）：
±25V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
33A (Tc)
功耗（最大）：
190W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
100 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
79mOhm @ 16.5A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
4650 pF @ 100 V
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