FDMS86101
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
部件编号：
FDMS86101
替代型号：
SMAT70A-13-F , CMMR1U-02 TR PBFREE , FDB3632 , SMAJ24A-13-F , MCAC50N10Y-TP , LTC4364HMS-2#PBF , FDC6333C , 2920L110/60MR-A , LTC4359HMS8#WPBF , BLM21PG221SN1D , ADF4360-7BCPZ , SMAJ58A , BSC190N15NS3GATMA1 , FDMS86200 , FQA140N10
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN
RoHS：
YES
FDMS86101 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
6V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
包装/箱：
8-PowerTDFN
功耗（最大）：
2.5W (Ta), 104W (Tc)
供应商设备包：
8-PQFN (5x6)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
8mOhm @ 13A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3000 pF @ 50 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
55 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
12.4A (Ta), 60A (Tc)
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