FDA24N50F
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
部件编号：
FDA24N50F
替代型号：
IXFQ34N50P3 , FDA28N50F , FDA59N30 , STW19NM50N , STW65N65DM2AG , FDP52N20 , FQA24N60 , MC79M05BDTRKG , FDA38N30 , FQB12P20TM , FQT5P10TF , MURS110T3G , MBRD835LT4G , IXTQ22N50P , FDP51N25
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
RoHS：
YES
FDA24N50F 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 250µA
包装/箱：
TO-3P-3, SC-65-3
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
24A (Tc)
功耗（最大）：
270W (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
500 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
85 nC @ 10 V
供应商设备包：
TO-3PN
Rds On（最大）@Id、Vgs：
200mOhm @ 12A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
4310 pF @ 25 V
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