FQD12N20LTM-F085
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
部件编号：
FQD12N20LTM-F085
替代型号：
FQD12N20LTM , SQJ416EP-T1_GE3 , SQJ488EP-T1_GE3 , FDD18N20LZ , SQ2361ES-T1_GE3 , DMC4029SSDQ-13 , FAN8811TMPX , HMC374SC70E , ISO7640FMDW , LTC2355CMSE-12#PBF , FDY100PZ , FDC6420C , FDC2612 , MBR140SFT1G , MURS120T3G
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
RoHS：
YES
FQD12N20LTM-F085 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
资质：
AEC-Q101
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th)（最大值）@Id：
2V @ 250µA
供应商设备包：
TO-252AA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
9A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
200 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
5V, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
21 nC @ 5 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1080 pF @ 25 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
280mOhm @ 4.5A, 10V
功耗（最大）：
2.5W (Ta), 55W (Tc)
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