FQD3P50TM-F085
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
部件编号：
FQD3P50TM-F085
替代型号：
FQD3P50TM , TSM70N380CP ROG , IXTY1R6N50D2 , MT29F1G01ABBFDWB-IT:F TR , 2834010-3 , IXTK32P60P , RUC002N05T116 , PIC16F1455-E/SL , FQD7P20TM , HTSW-102-07-G-S , MAX6035BAUR50+T
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK
RoHS：
YES
FQD3P50TM-F085 规格
安装类型：
Surface Mount
年级：
Automotive
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型：
P-Channel
资质：
AEC-Q101
Vgs（最大）：
±30V
Vgs(th)（最大值）@Id：
5V @ 250µA
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包：
TO-252AA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.9Ohm @ 1.05A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
23 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
500 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
660 pF @ 25 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
2.1A (Tc)
功耗（最大）：
2.5W (Ta), 50W (Tc)
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