IPB009N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
部件编号：
IPB009N03LGATMA1
替代型号：
IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , IRS2007STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , 2EDF7275KXUMA1 , MC33079DT , PTZTE255.1B , IPB160N04S4LH1ATMA1 , KDZVTR33B , SQM200N04-1M7L_GE3
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
RoHS：
YES
IPB009N03LGATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.2V @ 250µA
功耗（最大）：
250W (Tc)
包装/箱：
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
227 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
180A (Tc)
供应商设备包：
PG-TO263-7-3
Rds On（最大）@Id、Vgs：
0.95mOhm @ 100A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
25000 pF @ 15 V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：1600
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