IPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
部件编号：
IPB200N15N3GATMA1
替代型号：
IPD200N15N3GATMA1 , BSC160N15NS5ATMA1 , IPB048N15N5ATMA1 , NVMTSC4D3N15MC , BSC360N15NS3GATMA1 , IRFS4115TRLPBF , IPB144N12N3GATMA1 , BSC190N15NS3GATMA1 , IPP200N15N3GXKSA1 , IRFS52N15DTRLP , AOB2500L , IRFS4615TRLPBF , IPB200N25N3GATMA1 , IRFS4321TRLPBF , BSC320N20NS3GATMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS20752LTRPBF , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , IRS2007STRPBF , 2ED2110S06MXUMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
RoHS：
YES
IPB200N15N3GATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
31 nC @ 10 V
功耗（最大）：
150W (Tc)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源电压 (Vdss)：
150 V
供应商设备包：
PG-TO263-3
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
8V, 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
50A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 90µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1820 pF @ 75 V
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