IPB80N08S2L07ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
部件编号：
IPB80N08S2L07ATMA1
替代型号：
IRL2910STRLPBF , IRFS3607TRLPBF , STB75NF75T4 , IAUC64N08S5L075ATMA1 , TLE7181EMXUMA1 , IPB80N08S207ATMA1 , 824551511 , STPS2170AF , IPB019N06L3GATMA1 , LC03-3.3BTG , SMDJ6.0CA , SEP0080Q38CB , SMP1302-079LF , LTC2630AISC6-HZ12#TRMPBF , SDMG0340LC-7-F , AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
RoHS：
YES
IPB80N08S2L07ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2V @ 250µA
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
漏源电压 (Vdss)：
75 V
功耗（最大）：
300W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
供应商设备包：
PG-TO263-3-2
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5400 pF @ 25 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
233 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
6.8mOhm @ 80A, 10V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：2291
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