IPD031N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
部件编号：
IPD031N06L3GATMA1
替代型号：
IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , NX3008PBKW , 115 , SQD97N06-6M3L_GE3 , FDY101PZ , IPD038N06N3GATMA1 , CSD19536KTT , IPD034N06N3GATMA1 , SUM110P06-07L-E3 , 5031540890 , IPD048N06L3GATMA1 , HSMN-C170 , IPB200N25N3GATMA1 , 5025851070 , BTS6163DAUMA1 , IPD025N06NATMA1 , 5015
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
RoHS：
YES
IPD031N06L3GATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
功耗（最大）：
167W (Tc)
供应商设备包：
PG-TO252-3
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
13000 pF @ 30 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.1mOhm @ 100A, 10V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
79 nC @ 4.5 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.2V @ 93µA
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