IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
部件编号：
IPD35N10S3L26ATMA1
替代型号：
AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR , IPD30N10S3L34ATMA1 , 0430450200 , IPD50N10S3L16ATMA1 , IRFR540ZTRPBF , 36900000 , IRFR540ZTRLPBF , 13324-T086 , 0348302001 , 2035672007 , SUD50P10-43L-E3 , CHP-081TA , 1565749-1 , LT8333RDD#TRPBF , IPD35N10S3L26ATMA2 , IRFR3710ZTRPBF
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
RoHS：
YES
IPD35N10S3L26ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
39 nC @ 10 V
功耗（最大）：
71W (Tc)
供应商设备包：
PG-TO252-3-11
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
35A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
2700 pF @ 25 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.4V @ 39µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
24mOhm @ 35A, 10V
您可能感兴趣的产品
FQB27N25TM-F085
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
更多订购
FDMA6676PZ
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
更多订购
FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
更多订购
DMP2021UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
$0.28
更多订购
DMN6075S-13
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
$0.07
更多订购
DMN3053L-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
$0.1
更多订购
IRL7486MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
$1.19
更多订购
IRFI7446GPBF
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
更多订购
IRFI7440GPBF
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB FP
更多订购
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
更多订购
IRFH7191TRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
$1.12
更多订购
IRFH7188TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
更多订购
IRF7483MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
更多订购
快速询价
制造商标准交期：待定
标准包装数量：3342
数量
单价
国际价格
2500
0.74
1850
5000
0.69
3450
12500
0.66
8250
温馨提示：请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
atla@hk-atla.com
