IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
部件编号:
IPD35N10S3L26ATMA1
替代型号:
AUIR2085STR  ,  TLE9180D31QKXUMA1  ,  AUIRB24427STR  ,  IPD30N10S3L34ATMA1  ,  0430450200  ,  IPD50N10S3L16ATMA1  ,  IRFR540ZTRPBF  ,  36900000  ,  IRFR540ZTRLPBF  ,  13324-T086  ,  0348302001  ,  2035672007  ,  SUD50P10-43L-E3  ,  CHP-081TA  ,  1565749-1  ,  LT8333RDD#TRPBF  ,  IPD35N10S3L26ATMA2  ,  IRFR3710ZTRPBF
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
RoHS:
YES
IPD35N10S3L26ATMA1 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V, 10V
Vgs(最大):
±20V
漏源电压 (Vdss):
100 V
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
39 nC @ 10 V
功耗(最大):
71W (Tc)
供应商设备包:
PG-TO252-3-11
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
35A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
2700 pF @ 25 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.4V @ 39µA
Rds On(最大)@Id、Vgs:
24mOhm @ 35A, 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:3342
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单价
国际价格
2500
0.74
1850
5000
0.69
3450
12500
0.66
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