IPD70N03S4L04ATMA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
部件编号：
IPD70N03S4L04ATMA1
替代型号：
IRLR8743TRPBF , IPD60N10S4L12ATMA1 , STM32F746G-DISCO , IPD040N03LGATMA1 , IPD090N03LGATMA1 , V20H510AUTO , PMV130ENEAR , TPS65381AQDAPRQ1 , IPD031N03LGATMA1 , IPD30N10S3L34ATMA1 , IPD30N03S2L20ATMA1 , PESD18VF1BLYL , CPC1006NTR , IPD135N03LGATMA1 , MMUN2211LT1G , AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
RoHS：
YES
IPD70N03S4L04ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
30 V
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs（最大）：
±16V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
功耗（最大）：
68W (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
3300 pF @ 25 V
供应商设备包：
PG-TO252-3-11
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
48 nC @ 10 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.2V @ 30µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.3mOhm @ 70A, 10V
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