IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
部件编号：
IPD70N10S3L12ATMA1
替代型号：
IPD50N10S3L16ATMA1 , MAX6504UKN025+T , DMP2045UQ-7 , DMT10H010LK3-13 , IPD35N10S3L26ATMA1 , IQS228B00000000TSR , TPSM5601R5HEXTRDAR , DMN6140LQ-7 , DDZX5V1BQ-7 , IPD60N10S4L12ATMA1 , GS12081-INE3 , TLV1805QDBVRQ1 , NCV1117ST33T3G , ADM2682EBRIZ , PDTC123ET , 215 , AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
RoHS：
YES
IPD70N10S3L12ATMA1 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
4.5V, 10V
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
功耗（最大）：
125W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
77 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
70A (Tc)
供应商设备包：
PG-TO252-3-11
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.4V @ 83µA
Rds On（最大）@Id、Vgs：
11.5mOhm @ 70A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5550 pF @ 25 V
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