IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
部件编号:
IPD70N10S3L12ATMA1
替代型号:
IPD50N10S3L16ATMA1  ,  MAX6504UKN025+T  ,  DMP2045UQ-7  ,  DMT10H010LK3-13  ,  IPD35N10S3L26ATMA1  ,  IQS228B00000000TSR  ,  TPSM5601R5HEXTRDAR  ,  DMN6140LQ-7  ,  DDZX5V1BQ-7  ,  IPD60N10S4L12ATMA1  ,  GS12081-INE3  ,  TLV1805QDBVRQ1  ,  NCV1117ST33T3G  ,  ADM2682EBRIZ  ,  PDTC123ET  ,  215  ,  AUIR2085STR  ,  TLE9180D31QKXUMA1  ,  AUIRB24427STR
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
RoHS:
YES
IPD70N10S3L12ATMA1 规格
安装类型:
Surface Mount
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V, 10V
Vgs(最大):
±20V
漏源电压 (Vdss):
100 V
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
包装/箱:
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
功耗(最大):
125W (Tc)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
77 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
70A (Tc)
供应商设备包:
PG-TO252-3-11
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.4V @ 83µA
Rds On(最大)@Id、Vgs:
11.5mOhm @ 70A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
5550 pF @ 25 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:6343
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