IPP015N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
部件编号:
IPP015N04NGXKSA1
替代型号:
IRFB3004PBF  ,  IPP011N04NF2SAKMA1  ,  PSMN2R2-40PS  ,  127  ,  RX3G18BBGC16  ,  STP62NS04Z  ,  IPP015N04NF2SAKMA1  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1EDI60N12AFXUMA1  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED24427N01FXUMA1
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
RoHS:
YES
IPP015N04NGXKSA1 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss):
40 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
120A (Tc)
Vgs(最大):
±20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
包装/箱:
TO-220-3
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
功耗(最大):
250W (Tc)
供应商设备包:
PG-TO220-3-1
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
250 nC @ 10 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 200µA
Rds On(最大)@Id、Vgs:
1.5mOhm @ 100A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
20000 pF @ 20 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:2018
数量
单价
国际价格
1
5.26
5.26
50
4.17
208.5
100
3.58
358
500
3.18
1590
1000
2.72
2720
2000
2.56
5120
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