IPP075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
部件编号：
IPP075N15N3GXKSA1
替代型号：
1ED44173N01BXTSA1 , IRS20752LTRPBF , IRS2011STRPBF , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , PHP28NQ15T , 127 , IPP076N15N5AKSA1 , UCC28950QPWRQ1 , TBA 2-1213 , PZU13B3 , 115 , IAUA210N10S5N024AUMA1 , TK62N60W5 , S1VF , 3296W-1-503LF , IPT012N08N5ATMA1 , SBRD10200 , IAUS260N10S5N019TATMA1 , STPS20M100SG-TR , MBR20100CT-M3/4W , THVD1512DGSR , IPP016N08NF2SAKMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
RoHS：
YES
IPP075N15N3GXKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
93 nC @ 10 V
Vgs（最大）：
±20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
100A (Tc)
包装/箱：
TO-220-3
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
150 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 270µA
功耗（最大）：
300W (Tc)
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
8V, 10V
供应商设备包：
PG-TO220-3
Rds On（最大）@Id、Vgs：
7.5mOhm @ 100A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5470 pF @ 75 V
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