SPP80P06PHXKSA1
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
部件编号:
SPP80P06PHXKSA1
替代型号:
IRS2005STRPBF  ,  IRS10752LTRPBF  ,  FQP47P06  ,  SUP90P06-09L-E3  ,  IXTP120P065T  ,  IRF9520PBF  ,  IRF5210PBF  ,  IRF510PBF  ,  IXTP76P10T  ,  G65P06T  ,  OPL562  ,  ECS-250-20-3X-EN-TR  ,  RST 1-BULK  ,  SUP53P06-20-E3  ,  SRF1306-350Y  ,  FQPF47P06  ,  IRFB3206PBF
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET P-CH 60V 80A TO220-3
RoHS:
YES
SPP80P06PHXKSA1 规格
安装类型:
Through Hole
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss):
60 V
Vgs(最大):
±20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
包装/箱:
TO-220-3
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型:
P-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
80A (Tc)
供应商设备包:
PG-TO220-3-1
功耗(最大):
340W (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
23mOhm @ 64A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 5.5mA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
173 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
5033 pF @ 25 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:4048
数量
单价
国际价格
1
4.15
4.15
50
3.29
164.5
100
2.82
282
500
2.51
1255
1000
2.15
2150
2000
2.02
4040
5000
1.94
9700
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码