IRLSL4030PBF
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
部件编号:
IRLSL4030PBF
替代型号:
1EDN7512BXTSA1  ,  IRS2005STRPBF  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1EDI60N12AFXUMA1  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  IRFSL4010PBF  ,  TLE2142AMD  ,  IRLB4030PBF  ,  TLE2142AMDR  ,  SD12CT1G  ,  TCUT1600X01  ,  LM20BIM7/NOPB
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 100V 180A TO262
RoHS:
YES
IRLSL4030PBF 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
4.5V, 10V
漏源电压 (Vdss):
100 V
Vgs(th)(最大值)@Id:
2.5V @ 250µA
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
供应商设备包:
TO-262
包装/箱:
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Vgs(最大):
±16V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
180A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
4.3mOhm @ 110A, 10V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
130 nC @ 4.5 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
11360 pF @ 50 V
功耗(最大):
370W (Tc)
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:2540
数量
单价
国际价格
1
4.83
4.83
50
3.83
191.5
100
3.28
328
500
2.92
1460
1000
2.5
2500
2000
2.35
4700
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