FDB120N10
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
部件编号：
FDB120N10
替代型号：
FOD817C3SD , NVTFWS010N10MCLTAG , FQB44N10TM , NVMYS012N10MCLTWG , NVMFWS021N10MCLT1G , NTMFS005N10MCLT1G , NTBS9D0N10MC , FDB0260N1007L , FDB035N10A , HUF76639S3ST , HUF75639S3ST
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK
RoHS：
YES
FDB120N10 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 250µA
供应商设备包：
TO-263 (D2PAK)
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
86 nC @ 10 V
功耗（最大）：
170W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
74A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
12mOhm @ 74A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5605 pF @ 25 V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：2053
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