FDMC8200
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8PWR33
部件编号:
FDMC8200
替代型号:
NLV27WZ16DFT2G  ,  FDMB3800N  ,  SMMBT4403LT1G  ,  NTK3139PT1G  ,  CAT823YTDI-GT3  ,  NCP361MUTBG  ,  SZEMI2121MTTAG  ,  SQJ422EP-T1_BE3  ,  NC7WV125K8X  ,  EMI2121MTTAG  ,  IRFML8244TRPBF  ,  BC847BPDXV6T1G  ,  NCP705MTADJTCG  ,  NCV8705MT33TCG  ,  DMC2038LVT-7
制造商:
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8PWR33
RoHS:
YES
FDMC8200 规格
安装类型:
Surface Mount
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性:
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss):
30V
工作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱:
8-PowerWDFN
Vgs(th)(最大值)@Id:
3V @ 250µA
配置:
2 N-Channel (Dual)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
660pF @ 15V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
10nC @ 10V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
20mOhm @ 6A, 10V
供应商设备包:
8-Power33 (3x3)
功率 - 最大:
700mW, 900mW
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
8A, 12A
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:3253
数量
单价
国际价格
3000
0.54
1620
6000
0.52
3120
9000
0.5
4500
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