IXTY1R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
部件编号：
IXTY1R4N120P
替代型号：
IXTY1R4N120P-TRL , IXTY1R4N120P-TRL , IXTY02N120P , TLS205B0EJV33XUMA1 , LT8316EFE#TRPBF , TMP708AQDBVRQ1 , SN74LVC2G74QDCURQ1 , TPS7B8750QKVURQ1R2 , 74AHC1G00GW-Q100H , SN74LVC1G32QDRYRQ1 , IXTJ4N150 , IXTY01N100 , SCT2H12NYTB
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
RoHS：
YES
IXTY1R4N120P 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
包装/箱：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
供应商设备包：
TO-252AA
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 100µA
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1.4A (Tc)
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