FDP030N06
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
部件编号：
FDP030N06
替代型号：
30N06 , 1N4001 , IRF5210STRLPBF , SS16T3G , TMCSILENTSTEPSTICK SPI , PPTC081LFBN-RC
制造商：
Sanyo Semiconductor/onsemi
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
RoHS：
YES
FDP030N06 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
漏源电压 (Vdss)：
60 V
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
TO-220-3
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4.5V @ 250µA
供应商设备包：
TO-220-3
功耗（最大）：
231W (Tc)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
151 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
3.2mOhm @ 75A, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
9815 pF @ 25 V
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标准包装数量：2467
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