IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
部件编号：
IPI023NE7N3 G
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
RoHS：
NO
IPI023NE7N3 G 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
120A (Tc)
工作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
75 V
包装/箱：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
功耗（最大）：
300W (Tc)
供应商设备包：
PG-TO262-3
Rds On（最大）@Id、Vgs：
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.8V @ 273µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
206 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
14400 pF @ 37.5 V
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