IPW60R160C6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
部件编号：
IPW60R160C6FKSA1
替代型号：
2EDN7524FXTMA1 , 2EDN7523FXTMA1
制造商：
IR (Infineon Technologies)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
RoHS：
YES
IPW60R160C6FKSA1 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
漏源电压 (Vdss)：
600 V
包装/箱：
TO-247-3
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
75 nC @ 10 V
供应商设备包：
PG-TO247-3-1
功耗（最大）：
176W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
23.8A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
160mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 750µA
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
1660 pF @ 100 V
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标准包装数量：1672
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